  |
Za poslednú hodinu: 12 meraní | ||||
|
inzercia |
|||||
 
neprihlásený 
| Utorok, 30. júna 2026, dnes má meniny Melánia |
|
Vyvinutý prvý 50 nm DRAM čip
Predstavený bol prototyp 1-gigabitového čipu typu DDR2 DRAM, podľa spoločnosti je ale výrobný proces aplikovateľný na viacero typov pamätí. 50 nm pamäťové čipy by mali umožniť až o 55% vyššiu efektivitu pri výrobe oproti 60 nm čipom, čo by sa malo prejaviť na znižovaní cien pamätí. Podľa tlačovej správy spoločnosti bol prechod na 50 nm kľúčový, keď doteraz bola limitom súčasná výrobná technológia, ktorá pri veľkostiach tranzistorov 50 nm a menej nezabezpečuje dostatočný prietok elektrónov. Nová technológia využíva tzv. SEG Tr tranzistory, 3D tranzistory, ktoré optimalizujú rýchlosť elektrónov a umožňujú tak nižšiu spotrebu a vyšší výkon. V SEG tranzistoroch je použitý nový materiál z vrstiev ZrO2, Al2O3 a opäť ZrO2, ktorý zlepšuje slabý prietok elektrónov u 50 nm čipov. Novou je aj technológia RCAT (Recess Channel Array Transistor) pre zdvojnásobenie obnovovacej frekvencie DRAM. 50 nm technológia je podľa Samsungu pripravená na nasadenie u typov pamätí využívaných zväčša v PC ako operačná pamäť (DDR2, DDR3) ale tiež na použitie u pamätí pre grafické karty. Produkcia 50 nm pamäťových čipov by mala odštartovať v roku 2008. Najnovšie články: Diskusia:
Pridať komentár | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
