Spoločnosť Samsung oznámila vyvinutie prvých 60 nm DDR2 pamäťových čipov s kapacitou 2 Gbit.
Nové čipy sú oproti 80 nm 2 Gbit čipom podľa Samsungu o 20% výkonnejšie, efektivita výroby sa pre menšiu plochu čipov zvýši o 40%.
Okrem toho sú samozrejme úspornejšie jednotlivo aj pri vytváraní pamäťových modulov z čipov menších kapacít. 8 GB modul z 36 nových čipov má až o 30% nižšiu spotrebu ako 8 GB modul s použitím 72 1 Gb 60 nm DDR2 čipov.
Uplatnenie by čipy mali nájsť pri výrobe dostupnejších 4 GB DDR2 modulov pre desktopy aj notebooky a najmä pri 8 GB FBDIMM a 8 GB
registered DIMM.
Súčasné desktopové čipsety a základné dosky ale podporujú u DDR2 zvyčajne moduly s kapacitou maximálne 2 GB.
Nové čipy by mal Samsung začať vyrábať a dodávať na trh ešte tento rok.