  |
Za poslednú hodinu: 51 meraní | ||||
|
inzercia |
|||||
 
neprihlásený 
| Nedeľa, 13. júla 2025, dnes má meniny Margita |
|
Flash pamäť bude mať viac ako 1000 vrstiev, avizuje to ďalší výrobca
flash pamäť
Výrobcovia flash pamäte budú evidentne pokračovať v zvyšovaní kapacity flashových čipov pomocou zvyšovania počtu vrstiev flash čipov, keď ďalší významný výrobca avizuje zámer zvýšiť počet vrstiev na úroveň 1000 vrstiev. Spoločnosť Kioxia, bývalá pamäťová divízia Toshiby, totiž plánuje do roku 2030 alebo 2031 zvýšiť počet vrstiev nad 1000. Na konferencii Japonskej spoločnosti pre aplikovanú fyziku to v marci uviedol CTO spoločnosti Hideshi Miyajima, upozornil Xtech Nikkei. Kioxia vyvíja a vyrába flash pamäť v spolupráci so spoločnosťou Western Digital. Ich súčasná generácia flash pamäte má 218 vrstiev. Flash pamäť s najviac vrstvami v súčasnosti vyrába SK hynix, má 238 vrstiev. Flash pamäť Samsungu má podľa dostupných informácií 236 vrstiev, flash pamäť Micronu má 232 vrstiev a pamäť čínskeho YMTC tiež 232 vrstiev. SK hynix už oficiálne oznámil a ukázal aj vzorky pamäte s viac ako 300 vrstvami, konkrétne 321 vrstvami, tú plánuje začať vyrábať ale až v prvej polovici roka 2025. Ďalšia generácia pamäte Samsungu bude mať podľa prezentácie na konferencii ISSCC 280 vrstiev. Budúce zvýšenie na rádovo tisíc vrstiev už v minulosti avizovali okrem Kioxie aj ďalší dvaja významní výrobcovia. SK hynix avizoval do roku 2030 cieľ 800 vrstiev a Samsung rovnako do roku 2030 predpokladá dosiahnutie viac ako 1000 vrstiev. 
Najnovšie články: Diskusia:
Pridať komentár | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
