neprihlásený Piatok, 17. mája 2024, dnes má meniny Gizela
Intel u 22 nm nasadzuje 3D tranzistory, znamenajú veľký skok


Diskusia k článku: Intel u 22 nm nasadzuje 3D tranzistory, znamenajú veľký skok

Prispievajte do diskusií ako prihlásený užívateľ.

Komentár, na ktorý odpovedáte:
                               
 

Som zvedavy ako maju vyrieseny problem s parazitnymi kapacitami.
Pri zvacsovani stycnych ploch sa sice zvacsuje aj prudova zatazitelnost, ale priamo umerne sa zvacsuju aj parazitne kapacity. Vacsie kapacity sposobuju zvacsenie rise-time aj fall-time a teda trazistor je pomalsi a nie rychlejsi ako sa pise v texte.

Takze ak takymto 3D sposobom chcu zvysit prudovu zatazitelnost, tak sakra dobre musia zamakat na vyraznom znizeni parazitnych kapacit.

Aspon takto to je pri MOS-FEToch

Meno:


Titulok:


Text:


Prihláste sa a povoľte si emailové notifikácie na odpovede na Váš príspevok.

Overovací text:



Pre overenie, že komentár sa nepridáva automatizovanými prostriedkami, prosím prepíšte text, ktorý vidíte na obrázku. Písmená musíte zadávať rovnako ako na obrázku veľké. Pokiaľ text neviete prečítať, kliknite prosím na tlačidlo "Obnoviť obrázok". V texte sa používajú iba znaky "BCDJKMPRSVWXY1234589".