Avizovaná ďalšia pamäť 1000-krát lepšia ako flash
Diskusia k článku: Avizovaná ďalšia pamäť 1000-krát lepšia ako flash
Prispievajte do diskusií ako
prihlásený užívateľ.
Komentár, na ktorý odpovedáte:
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Re: otázočka
Od: NikhajZzz
|
Pridané:
2015-10-12 13:22:55
Stupidny nie je ten ktory sa pyta, ale ten ktory nema trpezlivost niekomu nieco riadne vysvetlit pripadne normalne odpisat. Nie kazdy rozumie technologiam a treba mat pochopenie, empatiu....Da sa odpisat aj rozumne a bez uraziek!
Rezistívna RAM, krátko ReRAM alebo RRAM je pamäť, technológia, ktorá využíva kontrolovateľnú zmenu odporu (rezistencie) v špeciálnych materiálových kombináciách pre ukladanie informácií. Za RRAM alebo ReRAM sa teda rozumejú všetky typy pamätí, ktoré využívajú zmeny v odpore na uchovávanie informácií. Reálny fyzikálny jav sa prejavuje tak, že elektricky izolujúci materiál (dielektrická) majú zrazu oveľa nižší elektrický odpor pri určitom napätí. RRAM pamäťová bunka môže pozostávať z kondenzátora, ktorý sa skladá z nanometrov-tenkých vrstiev. Vhodné nosiče sú pružné plastické hmoty. Dve vonkajšie vrstvy slúžia ako elektródy, napri. oxid cínu, indium (ITO). Ako dielektrikum je vhodný oxid zinočnatý (ZnO).
|